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d晶体管2015年，女侠Zhu[4]等人基于π-d共轭MOFCu-BHT薄膜制造了一种FET器件，该器件表现出双极性行为。b通过空间受分子和聚合物有机导体和半导体的启发，有英用例如tetrathiafulvalene-tetracyanoquino-dimethane(TTF-TCNQ,TTF=tetrathiafulvalene,TCNQ=7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)，有英用其中π···π堆积体系表现出超导性，通过配体-配体π···π堆积策略也开始用于构建导电MOF。
DFT计算表明，姿也足够Ni-HAB体系中钴的掺杂导致OER的固有活性增强。Ni-HAB薄膜用于制造FET器件显示，不管由于晶体缺陷和存在的大量晶界，该器件电导率及和背栅相关电导率较低。Lahiri[14]等通过液-液界面法或气-液界面法合成了一系列基于HAB的导电MOF膜，口碑M3HAB2（M=Co，Ni和Cu）。
因此，神奇具有氧化还原活性的客体分子已被广泛用于改善绝缘框架的电导率。I2是使用最广泛的掺杂剂，女侠早期，女侠Kobayashi[9]报告了一个非常典型的例子，在50℃下将Cu[Ni(pdt)2]膜暴露于I2蒸气会使Cu[Ni(pdt)2]的电导率从1×10-8 Scm-1增大到1×10-4Scm-1，活化能从0.49eV下降到0.18eV。
2015年，有英用中国科学院化学研究所的徐伟和朱道本研究员报道了导电MOF Cu-BHT[4]，其电导率达到了超高的1580S cm-1，自此，导电MOF迎来了井喷式的发展。
Cu(II)离子和pdt配体通过N原子桥接形成方形二维片[Cu(pyrazine)]，姿也足够这些[Cu(pyrazine)]片又通过氧化还原活性铜双（二硫代烯）单元连接以形成四方晶格（图3）。杭州亚运会诞生482块金牌，不管中国获得201块。
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